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BSS84DW-7-F中文资料

BSS84DW-7-F图片

BSS84DW-7-F外观图

  • 大小：447.05KB
  • 厂家：DIODES
  • 描述：Diodes Incorporated [DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：130mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 欧姆 @ 100mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：45pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SOT-363
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSS84DW-FDITR

BSS84DW-7-F供应商

更新时间:2023-01-14 16:14:26
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